РАСПРЕДЕЛЁННЫЙ ЦЕНТР КОЛЛЕКТИВНОГО ПОЛЬЗОВАНИЯ
Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики твердого тела Российской академии наук
О ЦЕНТРЕ
СТРУКТУРА
Группа электрохимических исследований батарей ТОТЭ
Группа времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии
Группа сканирующей электронной микроскопии
Группа специального рентгеноструктурного анализа
Группа электрохимических исследований мембранно-электродных блоков ТОТЭ
Группа дилатометрии
Группа электронно-ионной микроскопии и электронно-зондового анализа
Группа рентгеновской фотоэлектронной спектрометрии
Группа инфракрасной и рамановской спектроскопии
Группа спектральных исследований
Группа сканирующей зондовой микроскопии
Группа оптической литографии
Группа плазмохимического травления и осаждения
Группа термогравиметрического анализа
УСЛУГИ
КОНТАКТЫ

Группа электрохимических исследований батарей ТОТЭ


Группа электрохимических исследований мембранно-электродных батарей ТОТЭ (руководитель д.ф.-м.н. С.И. Бредихин):
  • Проведение электрохимических испытаний батарей ТОТЭ
  • Проведение краткосрочных и долгосрочных ресурсных испытаний батарей ТОТЭ

Установка для электрохимических испытаний батарей ТОТЭ Evaluator C-1000.


Группа времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии


Группа времяпролетной вторичной ионной масс-спектрометрии Лаборатории спектроскопии дефектных структур (руководитель д.ф.-м.н. С.И. Бредихин):
  • Элементный анализ (от водорода до сложных молекул с массами до 10,000) поверхности металлов, полупроводников, диэлектриков, органических материалов, керамик, композиционных материалов.
  • Получение изображения поверхности в элементном контрасте
  • Исследование профиля элементного и молекулярного состава по глубине образца (для слоистых структур, межфазных границ, профилей легирования и диффузии)
  • Получение трехмерных картин распределения элементов

Масс-спектрометр времяпролетный вторично-ионный TOF-SIMS.5 - 100P.


Группа сканирующей электронной микроскопии


Группа сканирующей электронной микроскопии Лаборатории структурных исследований (руководитель к.ф.-м.н. Д.В. Матвеев):
  • Проведение исследований в любых областях материаловедения, в области нано- и биотехнологий
  • Исследования структуры поверхности и элементного состава полупроводников, металлов, диэлектриков
  • Изображение поверхности
  • Определение элементного состава материала

Сканирующий микроскоп высокого разрешения SUPRA 50VP с системой микроанализа INCA Energy+ (Oxford).


Группа специального рентгеноструктурного анализа


Группа специального рентгеноструктурного анализа Лаборатории структурных исследований (руководитель к.ф.-м.н. С.С. Хасанов):
  • Структурная характеризация различных материалов и изделий из них
  • Рентгеновская дифрактометрия поликристаллических и монокристаллических материалов и изделий из них
  • Исследование структурных характеристик методом полнопрофильного анализа порошковых ренгендифракционных спектров
  • Атомно-кристаллическая структура и свойства твердых тел
  • Рентгеноструктурный анализ монокристаллов
  • Дифракционный анализ структурно-неупорядоченных состояний

Рентгеновский порошковый дифрактометр с позиционно-чувствительным детектором и с первичным монохроматором для CuKa1, SIEMENS D500.
Рентгеновский монокристальный дифрактометр с двухкоординатным CCD детектором, Oxford diffraction - Gemini R, XXH-168/07.


Группа электрохимических исследований мембранно-электродных блоков ТОТЭ


Группа электрохимических исследований мембранно-электродных блоков ТОТЭ (руководитель д.ф.-м.н. С.И. Бредихин):
  • Проведение электрохимических испытаний мембранно-электродных блоков ТОТЭ
  • Проведение краткосрочных и долгосрочных ресурсных испытаний мембранно-электродных блоков ТОТЭ

Установка для электрохимических испытаний мембранно-электродных блоков ТОТЭ TrueXessory-HT.


Группа дилатометрии


Группа дилатометрии (руководитель к.х.н. В.В. Хартон). Измерение следующих величин:
  • Коэффициент термического расширения
  • линейное термическое расширение
  • истинный температурный коэффициент линейного расширения
  • температуры спекания
  • температура фазовых превращений
  • точки размягчения
  • температуры распада
  • температуры стеклования.

Вертикальный дилатометр L75V.


Группа электронно-ионной микроскопии и электронно-зондового анализа


Группа электронно-ионной микроскопии и электронно-зондового анализа Сектора элементного и структурного анализа (руководитель к.ф.-м.н. С.С. Хасанов):
  • Получение изображения поверхности во вторичных (SE), обратно рассеянных (BSE) прошедших (STEM) электронах, во вторичных ионах
  • Элементный анализ; получение карт распределения элементов по поверхности образца
  • Исследование элементного состава по глубине образца
  • Изготовление образцов для просвечивающей электронной микроскопии
  • Создание микроструктур на поверхности образцов

Электронно-ионный микроскоп Dual Beam VERSA 3D HighVac


Группа рентгеновской фотоэлектронной спектрометрии


Группа рентгеновской фото электронной спектроскопии (руководитель д.ф.-м.н. А.М. Ионов):
  • Элементный качественный и количественный состав поверхности (чувствительность - 0.1 ат.%, РФЭС, ОЖЕ-спектроскопия);
  • Химические состояния элементов на поверхности (РФЭС);
  • Глубина анализа – до 3 нм;
  • Электронная структура валентной зоны (УФЭС);
  • Получение изображения поверхности в элементном контрасте – картирование (пространственное разрешение в методе РФЭС – 5 мкм, в ОЖЕ-спектроскопии – 100 нм);
  • Получение изображения поверхности методом СЭМ (пространственное разрешение– 100 нм);
  • Исследование атомной структуры поверхности монокристаллов (ДМЭ);
  • Возможность компенсации поверхностного заряда при проведении исследования поверхности высокоомных образцов;
  • Возможность очистки и послойного анализа поверхности методом травления поверхности ионами аргона;
  • Температурный режим исследований: -100oC ? +600oC;

Электронный спектрометр Kratos AXIS Ultra DLD


Группа инфракрасной и рамановской спектроскопии


Группа инфракрасной и рамановской спектроскопии Лаборатории оптической прочности и диагностики кристаллов (руководитель к.ф.-м.н. А.В. Баженов):
  • Инфракрасная спектроскопия
  • Комбинационное рассеяние света
  • Исследования спектров оптических фононов, электронных переходов в объемных материалах и наноструктурах на основе полупроводников, металлов
  • Спектры отражения и пропускания инфракрасного света
  • Локальные спектры отражения и пропускания инфракрасного света

Инфракрасный Фурье-спектрометр IFS 113v.
Инфракрасный микроскоп Фурье-спектрометра IFS 113v.
Спектрометр DILOR Microdil 28.



Группа спектральных исследований


Группа спектральных исследований Лаборатории неравновесных электронных процессов (руководитель д.ф.-м.н. Л.В. Кулик):
  • Исследования спектров возбуждений различных систем. Анализ рамановских спектров возбуждений различных веществ
  • Измерения время-разрешенных спектров люминесценции на базе фемтосекундного лазера (Tsunami) и скоростной камеры (streak camera Hamamatsu C5680)

Фемтосекундный лазер (Tsunami), скоростная камера (streak camera Hamamatsu C5680).
Тройной рамановский спектрометр для исследования спектров возбуждений различных систем Ramanor и Monospec-HG2S.



Группа сканирующей зондовой микроскопии


Группа сканирующей зондовой микроскопии сектора Нанолитографии и лаборатории Спектроскопии Поверхности Полупроводников (руководитель к.ф.-м.н. Божко С.И.)
  • Исследование морфологии поверхности и электронных спектров полупроводников, металлов и топологических изоляторов;
  • Исследование процессов роста ультратонких слоев и нанокластеров на поверхности полупроводников и топологических изоляторов;


Группа оптической литографии


Группа оптической литографии Сектора нанолитографии (руководитель д.ф.-м.н. С.И. Дорожкин):
  • Изучение проблем структурирования многослойных тонкопленочных гетероструктур на основе металлов, полупроводников и диэлектриков
  • Создание новых и развитие существующих технологий и методик оптической и электронной нанолитографии
  • Изготовление экспериментальных тонкопленочных наноструктур

Технологически чистое помещение Trackpore Room.
Оптическая литография (MJB-4 SUSS MICROTEC).


Группа плазмохимического травления и осаждения


Группа плазмохимического травления и осаждения:
  • проведение презиционного направленного и изотропного травления материалов в атмосфере фтористой плазмы (для кремния и его соединений, включая Бош-процесс)
  • проведение презиционного направленного и изотропного травления материалов в атмосфере хлористой плазмы (для соединений типа III-V и II-VI, металлов, оксидов).


Группа термогравиметрического анализа